特許
J-GLOBAL ID：200903065096179723
非揮発性SONSNOSメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-345839
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134796
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】高速プログラミングが可能であって大容量のメモリを具現できる非揮発性SONSNOSメモリを提供する。【解決手段】基板のチャンネル上に積層される第1及び第2絶縁膜と、第1絶縁膜の上部と第2絶縁膜の下部に形成される第1及び第2誘電膜、並びに第1及び第2誘電膜間に介設されるIV族半導体膜、シリコン量子ドット、または金属量子ドットを含む非揮発性SONSNOSメモリ。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
所定間隔離隔されたソース及びドレーン電極並びに前記ソース及びドレーン電極間に電子が移動するチャンネルを含む半導体基板と、前記半導体基板の上部に前記チャンネルからの電子の流入を制御するゲート電極とを備えるメモリにおいて、
前記半導体基板のチャンネル上に積層される第1絶縁膜及び第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の上部と第2絶縁膜の下部に形成される第1誘電膜及び第2誘電膜と、
前記第1誘電膜と第2誘電膜の間に介設されるIV族半導体膜とを含むことを特徴とするシリコン・オキシド・ナイトライド・シリコン・ナイトライド・オキシド・シリコン(SONSNOS)メモリ。
IPC (4件)：
H01L21/8247
, H01L27/115
, H01L29/788
, H01L29/792
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
5F083EP17
, 5F083EP22
, 5F083ER02
, 5F083ER16
, 5F083JA02
, 5F083JA06
, 5F083JA15
, 5F083JA19
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083PR21
, 5F101BA45
, 5F101BA47
, 5F101BA54
, 5F101BC11
, 5F101BD02
, 5F101BE02
, 5F101BE05
, 5F101BE07
, 5F101BH02
