特許
J-GLOBAL ID：200903008852233504

不揮発性半導体記憶素子および製造方法

発明者：
小柳 光正

小柳 光正 について

, 
高田 雅章

高田 雅章 について

, 
近藤 新二

近藤 新二 について


出願人/特許権者：
小柳 光正

小柳 光正 について

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旭硝子株式会社

旭硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 角田 衛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213900
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055969
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】データの書込みや消去時間を短縮でき、同時に書き換え回数を大幅に増加させることができ、また低い消費電力で動作させることができる不揮発性半導体記憶素子を得る。【解決手段】トンネル絶縁膜2に隣接して形成され電荷保持層3が、浮遊ゲートとして機能する粒子径5nm以下の一種以上の単元素物質または化合物からなる、超微粒子3aを電荷保持層3の平方センチメートル当たり10+12〜10+14個の面密度で独立分散して含有する、電気絶縁性の絶縁層3bから成る不揮発性半導体記憶素子とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ソース領域およびドレイン領域を有する半導体基板表面に前記ソース領域および前記ドレイン領域を繋げるように、チャネル形成領域に接してトンネル絶縁膜が形成され、トンネル絶縁膜に隣接して電荷保持層が形成され、電荷保持層に隣接してゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜に隣接して制御ゲートが形成された不揮発性半導体記憶素子において、前記電荷保持層が、浮遊ゲートとして機能する粒子径5nm以下の一種以上の単元素物質または化合物からなる超微粒子を、不揮発性半導体記憶素子当たり1個含有するかまたは前記電荷保持層の平方センチメートル当たり10+12〜10+14個の密度で独立分散して複数個含有する絶縁層から成ることを特徴とする不揮発性半導体記憶素子。
IPC (4件)：
H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (2件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434
Fターム (27件)：
4K029AA06 ,  4K029BA06 ,  4K029BA46 ,  4K029BA64 ,  4K029BB01 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC15 ,  5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083FZ01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F101BA47 ,  5F101BA54 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD30 ,  5F101BF02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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