半導体装置の作成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133632
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321335
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】ニッケルを用いて、通常よりも低温、短時間の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、加熱処理とレーザー光の照射を併用する。【構成】ガラス基板101上に形成された酸化珪素膜102上に非晶質珪素膜103を形成する。さらに、前記非晶質珪素膜103上にニッケル含有層104を設け550°C、4時間程度の加熱処理をおこない結晶性珪素膜105を得る。その後、島状領域106を形成し、該島状領域上にゲイト絶縁膜107を成膜する。そして、レーザーアニールをおこない、結晶性珪素膜の結晶性と、ゲイト絶縁膜の膜質を高める。以上のようにして作成した、結晶性の良い珪素膜と膜質のよいゲイト絶縁膜を用いることにより、高い特性を有する半導体装置を作成することができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜に実質的に接して、ニッケルもしくはニッケル化合物層を形成する工程と、熱アニールを施し、前記非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、結晶化した珪素膜をエッチングし、島状珪素領域を形成する工程と、該島状珪素領域上にゲイト絶縁膜である酸化珪素膜を成膜する工程と、該工程の後にレーザー光またはそれと同等な強光を照射し、前記珪素膜の結晶性と前記酸化珪素膜の膜質を向上せしめる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作成方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/26 L

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-140915
特開昭62-119974
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-304681 出願人：株式会社東芝

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