特許
J-GLOBAL ID：200903065203172060

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
竹下 優

竹下 優 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-163650
公開番号（公開出願番号）：特開2009-003160
出願日： 2007年06月21日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用い、第二のレジスト組成物としてネガ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにおいて、ネガ型レジスト組成物を塗布した際の影響の少ないレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】支持体上に第一のレジスト膜を形成し、露光、現像して第一のレジストパターンを形成し、該レジストパターン上にネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、露光、現像するレジストパターン形成方法において第一のレジスト膜を形成するために用いられ、酸解離性溶解抑制基を含む(α-置換)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)と、ラクトン含有単環式基を含む(α-置換)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)とを有する樹脂成分(A)および酸発生剤成分(B)を含むポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法において、前記第一のレジスト膜を形成するために用いられるポジ型レジスト組成物であって、 酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、 前記樹脂成分(A)が、酸解離性溶解抑制基を含む(α-置換)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)と、ラクトン含有単環式基を含む(α-置換)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)とを有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 502C
Fターム (28件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CA48 ,  2H025CB08 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096HA05 ,  2H096HA30 ,  5F046AA11 ,  5F046JA01 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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