特許

J-GLOBAL ID：200903065215565491

低誘電率シリカ系被膜付半導体基板および低誘電率シリカ系被膜の形成方法

発明者： 江 上 美 紀 ,  中 島 昭 ,  西 田 広 泰 ,  小 松 通 郎
出願人/特許権者： 触媒化成工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093796
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に配設された金属配線にダメージを与えることなく、比誘電率が3以下と小さく、しかも低水分吸着性であり高被膜強度を有するという優れた特性を有する低誘電率シリカ系被膜が形成された半導体基板を提供する。【解決手段】 シリコン基板と、シリコン基板上の多層の配線層と、低誘電率シリカ系被膜とからなる低誘電率シリカ系被膜付半導体基板であって、低誘電率シリカ系被膜がシリコン基板上、多層配線構造の配線層間、素子表面および/またはPN接合部分に設けられてなり、かつ、低誘電率シリカ系被膜が、外殻層を有し、内部が気体で充填された空洞であるか、あるいは気体と多孔質物質とからなる多孔質となっている無機化合物粒子を、含む低誘電率シリカ系被膜付半導体基板。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、シリコン基板上の多層の配線層と、低誘電率シリカ系被膜とからなる低誘電率シリカ系被膜付半導体基板であって、低誘電率シリカ系被膜がシリコン基板上、多層配線構造の配線層間、素子表面および/またはPN接合部分に設けられてなり、かつ、低誘電率シリカ系被膜が、外殻層を有し、内部が気体で充填された空洞であるか、あるいは気体と多孔質物質とからなる多孔質となっている無機化合物粒子を、含むことを特徴とする低誘電率シリカ系被膜付半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 Q

Fターム (16件)：

5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX17 ,  5F033XX23 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 絶縁膜形成用SOG及びその製造方法、及び絶縁膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-317686   出願人：ソニー株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-083775   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-020857   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-028929   出願人：日立化成工業株式会社