特許
J-GLOBAL ID：200903050046083140

半導体装置

発明者：
須佐 憲三

須佐 憲三 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028929
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269204
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 配線間の絶縁膜の低誘電率化が可能であり、ウエットプロセスでの製造を適用することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 電子回路を構成する回路素子を有す基板1上に絶縁膜で絶縁された配線2を備える半導体装置であって、前記配線2間の絶縁膜が、マトリクス材3とマトリクス材3中に分散された中空微粒子4を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
電子回路を構成する回路素子を有す基板上に絶縁膜で絶縁された配線を備える半導体装置であって、少なくとも前記配線間の絶縁膜が、閉気孔を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/312 B ,  H01L 21/316 H ,  H01L 21/90 S
Fターム (14件)：
5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033WW01 ,  5F033XX25 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC04 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (10件)
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