薄膜半導体素子及びその製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-376561
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176180
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 (111)優先配向をした粒径ばらつきの小さい結晶粒子の集合体を形成する。【解決の手段】非晶質シリコン膜に対してレーザ光を複数回照射させることによって、複数の結晶粒子から構成され、かつ隣接する結晶粒子の境界部分での突起の発生を抑制した。これにより、少なくとも2個以上の結晶粒子の集合体であるクラスタ結晶を少なくとも一部に内在させた多結晶シリコン薄膜素子を実現し、200cm2/Vs以上の高移動度特性を可能にした。

請求項（抜粋）：

基板の上方に設けられた半導体薄膜であって、前記半導体薄膜が複数の結晶粒子から構成され、かつ少なくとも2個以上の前記結晶粒子が集合したクラスタ結晶を少なくともその一部に内在させてなることを特徴とする薄膜半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 620

Fターム (49件)：

5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AB04 , 5F045AB05 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA15 , 5F045HA18 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ24

引用特許：

審査官引用 (5件)

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-035484 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-054322 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
多結晶SiGe薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072584 出願人：ソニー株式会社, マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー

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