特許
J-GLOBAL ID：200903065243606225

ショットキーダイオードとその製造方法

発明者：
石田 純一

石田 純一 について

, 
渋川 昭彦

渋川 昭彦 について

, 
大林 聖弥

大林 聖弥 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305936
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079233
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 本発明は、ショットキーダイオードの構造とその製法に関するものであり、ショットキー障壁が高く、加工容易で密着性の良い電極膜を得るものである。【解決手段】 アルミニウム層7とn型のシリコン層1とからなるショットーキーダイオードにおいて、前記n型のシリコン層1に白金若しくは金又はこれらの混合物である重金属を拡散させた後に、前記n型のシリコン層1表面に前記アルミニウム層7を堆積することを特徴とするショットキーダイオードとその製造方法である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の金属層と第1導電型の第1の半導体層とからなるショットーキーダイオードにおいて、前記第1の金属層はアルミニウムであり、前記第1の半導体層には白金若しくは金又はこれらの混合物である重金属が含まれているショットキーダイオード。
IPC (2件)：
H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (1件)：
H01L29/48 M
Fターム (16件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)
  • 整流用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-037573   出願人：新電元工業株式会社
  • 特公昭50-036342

前のページに戻る

TOP

BOTTOM