特許
J-GLOBAL ID：200903065331279021

セラミック集合基板、これを用いた半導体装置及びその製造方法

発明者：
織田 裕文

織田 裕文 について

, 
吉武 一城

吉武 一城 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-079569
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267458
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置に容易にC面取りを行い、分割時の界面剥離やテープの糊巻き上げの問題を防止する。【解決手段】 チップサイズパッケージのインターポーザーに用いられ、表面に半導体素子が搭載可能なセラミック集合基板1において、裏面に分割ラインに沿って台形溝3を形成し、台形溝3の幅をブレード14の厚さよりも大きく形成する。また、分割時には、ブレード14の縦の送り量をテープ15に至らない程度とする。
請求項（抜粋）：
チップサイズパッケージのインターポーザーに用いられ、表面に半導体素子が搭載可能なセラミック集合基板において、裏面に分割ラインに沿って形成された台形溝を有し、該台形溝の開口幅は前記分割ラインに沿って除去される幅よりも大きいことを特徴とするセラミック集合基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H05K 1/02 ,  H05K 3/00
FI (4件)：
H05K 1/02 G ,  H05K 3/00 X ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 C
Fターム (8件)：
5E338AA02 ,  5E338AA03 ,  5E338AA18 ,  5E338BB35 ,  5E338BB47 ,  5E338BB71 ,  5E338BB75 ,  5E338EE33
引用特許：
審査官引用 (6件)
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