不揮発性メモリ

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-390964
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197887
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】本発明は、メモリセルのキャパシタに強誘電体を用いる強誘電体メモリデバイスにおいて、定常的にデータの再書き込みを行わずに、メモリセルで保持されているデータを補償できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、メモリセルMCとほぼ同等の電気的特性を有するPFセル21のデータを、データ補償動作時に、データ補償システム制御回路13により読み出す。そして、PFセルデータ判定回路14で、メモリセルMCよりもPFセル21のデータの方が早く不良になるように調整されたリファレンス電位と比較する。その結果、PFセル21のデータの劣化が判定された場合に、メモリセルMCのデータの劣化を予測し、データ書き込み制御回路15によりメモリセルMCへのデータの再書き込みを行う構成となっている。

請求項（抜粋）：

データを保持するための、強誘電体キャパシタを有する記憶素子と、この記憶素子で保持されている前記データの劣化をモニタするためのモニタ素子とを具備し、前記モニタ素子によって、前記データの劣化がモニタされた際に前記データの再書き込みを行うことにより、前記記憶素子で保持されている前記データを補償するようにしたことを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (3件)：

G11C 29/00 601 , G11C 11/22 501 , G11C 11/22

FI (3件)：

G11C 29/00 601 B , G11C 11/22 501 Q , G11C 11/22 501 K

Fターム (5件)：

5L106AA01 , 5L106BB00 , 5L106CC00 , 5L106EE02 , 5L106FF05

引用特許：

審査官引用 (4件)

強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-175959 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
不揮発性メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-295056 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-355120 出願人：富士通株式会社

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