特許
J-GLOBAL ID:200903065403013250

回路基板の製造方法及び製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-091362
公開番号(公開出願番号):特開2002-290007
出願日: 2001年03月27日
公開日(公表日): 2002年10月04日
要約:
【要約】【課題】 パルス状レーザによる金属薄膜の除去処理を基板にダメージを与えることなく高速に行う。【解決手段】 基板表面に形成した金属薄膜の不要部分をパルス状レーザで除去し、この後、金属薄膜上にめっきを施して回路パターンを作成するにあたり、パルス状レーザの走査速度に応じて該パルス状レーザのパルス幅を変化させて金属薄膜の不要部分の除去を行う。走査速度が変わろうと、各部での照射積算エネルギーを等しくすることができ、照射積算エネルギーが多すぎて基板にダメージを与えてしまうということがない。
請求項(抜粋):
基板表面に形成した金属薄膜の不要部分をパルス状レーザで除去し、この後、金属薄膜上にめっきを施して回路パターンを作成する回路基板の製造方法において、パルス状レーザの走査速度に応じて該パルス状レーザのパルス幅を変化させて金属薄膜の不要部分の除去を行うことを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (7件):
H05K 3/08 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/02 ,  H01S 3/00 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/24 ,  B23K101:42
FI (8件):
H05K 3/08 D ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/02 C ,  H01S 3/00 B ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/24 A ,  B23K101:42
Fターム (27件):
4E068AC01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA04 ,  4E068CA17 ,  4E068CE02 ,  4E068DA11 ,  4E068DB01 ,  5E339BD08 ,  5E339BD11 ,  5E339BE05 ,  5E339DD03 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343BB16 ,  5E343BB21 ,  5E343BB66 ,  5E343BB71 ,  5E343DD43 ,  5E343DD75 ,  5E343FF21 ,  5E343GG06 ,  5F072AB01 ,  5F072HH02 ,  5F072HH03 ,  5F072JJ12 ,  5F072SS06 ,  5F072YY08
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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