特許
J-GLOBAL ID：200903065411741982
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-112512
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019700
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】リードフレームを介した、作動温度が高い第1半導体素子から作動温度が低い第2半導体素子への熱伝達がより確実に防止される半導体装置を提供することである。【解決手段】半導体装置は、作動温度が相対的に高温のパワー素子25が搭載された第1リードフレーム20と、第1リードフレームから離れて並置され作動温度が相対的に低温の制御素子35が搭載された第2リードフレーム30と、第1リードフレームの外縁21aと第2リードフレームの外縁31aとの間のすきま40に介在された熱抵抗15,16と、第1半導体素子の温度を検出し検出結果を第2半導体素子に知らせる感温素子26と、を備える。第1リードフレームから第2リードフレームへの熱伝達を熱抵抗が抑制し、感温素子で検出される第1半導体素子の温度が所定値を超えたとき第2半導体素子が第1半導体素子の動作を制限する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
作動温度が相対的に高温の第1半導体素子(25)が搭載された第1リードフレーム(20)と、
前記第1リードフレームから離れて配置され、作動温度が相対的に低温の第2半導体素子(35)が搭載された第2リードフレーム(30)と、
前記第1リードフレームと前記第2リードフレームとの間のすきま(40)に介在され、該第1リードフレームから該第2リードフレームへの熱伝達を抑制する熱抵抗(15、16)と、
前記第1半導体素子の作動温度を検出し、検出結果を前記第2半導体素子に知らせる感温素子(26)と、を備え、
前記感温素子が検出した前記第1半導体素子の温度が所定値を超えたとき、前記第2半導体素子が前記第1半導体素子の動作を制限することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/34
, H01L 23/28
, H01L 23/50
, H01L 25/18
, H01L 25/04
H01L23/34 D
, H01L23/28 A
, H01L23/50 F
, H01L25/04 Z
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DB03
, 5F067AA03
, 5F067CA00
, 5F067CB01
, 5F136DA01
, 5F136HA01
, 5F136HA03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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