特許
J-GLOBAL ID：200903065432394662
発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-202945
公開番号（公開出願番号）：特開2008-263246
出願日： 2008年08月06日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】 工程数の削減により低コスト化が可能であり、かつ高輝度化および小型化が可能なチップ型発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 積層型アルミナ基板10の上面には、金属膜からなる一対の電極パッド13が形成されている。また、LEDチップ20のLED発光層28上には、p電極25およびn電極26が形成されている。また、LEDチップ20上には、p電極25の一部およびn電極26が露出するように絶縁保護膜27が形成されている。そして、絶縁保護膜27から露出したp電極25およびn電極26が積層型アルミナ基板10の一対の電極パッド13にAuバンプ30および銀ペースト31を介してそれぞれ接合され、積層型アルミナ基板10上にLEDチップ20が貼り合わされる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持部材上に発光素子が貼り合わされている発光装置であって、
前記支持部材は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成された一対の導電膜とを備え、
前記発光素子は、透光性基板上に形成されたn型半導体層と、前記n型半導体層の上面の一部領域が露出するように前記n型半導体層上に形成されたp型半導体層と、前記n型半導体層の前記露出された領域上に形成されたn電極と、前記p型半導体層上に形成されたp電極と、前記n型半導体層の前記露出された領域を覆うように前記発光素子の上面に形成されるとともに前記n電極及び前記p電極の一部がそれぞれ露出する窓を有する絶縁保護膜とを備え、
前記p電極の最表層には酸化防止層と該酸化防止層の下地層とが形成されていることを特徴とする発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA37
, 5F041AA42
, 5F041AA44
, 5F041AA47
, 5F041CA40
, 5F041DA02
, 5F041DA09
, 5F041DA13
, 5F041DA57
, 5F041EE11
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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