特許
J-GLOBAL ID：200903065465804939

半導体基板、半導体装置、および半導体基板の製造方法

発明者：
オドノブリュドヴ マキシム

オドノブリュドヴ マキシム について

, 
ボウグロヴ ヴラディスラヴ

ボウグロヴ ヴラディスラヴ について

, 
ロマノヴ アレクセイ

ロマノヴ アレクセイ について

, 
ラング テーム

ラング テーム について


出願人/特許権者：
オプトガン オイ

オプトガン オイ について


代理人 (4件)： 正林 真之 ,  高岡 亮一 ,  林 一好 ,  加藤 清志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-546092
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523635
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】高度に低減された貫通転位密度およびエピタキシャル成長に適した表面を有する新しいタイプの半導体基板を提供すること。【解決手段】本発明の半導体基板(1)は、ウルツ鉱結晶構造を有するIII族金属の窒化物からなり、(0001)面を有する半導体基板材料と格子不整合する異種基板(2)上、または該半導体基板材料からなる(0001)面を有する高い転位密度を有する層(3)上、のいずれかにおいて気相成長し、高度に低減された転位密度を有する。本発明によれば、貫通転位が互いに接触する確率を高めるために、(0001)以外であって 【数1】 の指数を有する高い指数の結晶平面に対して貫通転位(6)の意図的な傾きを与える転位リダイレクション層(4)と、転位リダイレクション層(4)の上に配置され、貫通転位(6)が互いに合体し、半導体基板表面(7)において貫通転位密度を低減する、転位リアクション層(5)とを備える構造が転位密度低減のために利用される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウルツ鉱結晶構造を有するIII族金属の窒化物からなり、(0001)面を有する半導体基板材料と格子不整合する異種基板(2)上、または該半導体基板材料からなる(0001)面を有する高い転位密度を有する層(3)上、のいずれかにおいて気相成長する半導体基板(1)であって、 (0001)以外であって
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18
Fターム (44件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EH06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TJ01 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK13 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AD09 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA67
引用特許：
出願人引用 (19件)
  • 米国特許第4,174,422号明細書
  • 米国特許第4,522,661号明細書
  • 米国特許第6,051,849号明細書
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM