特許
J-GLOBAL ID：200903026812617715
単結晶窒化ガリウム基板、単結晶窒化ガリウム基板の製造方法および窒化ガリウム成長用下地基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353274
公開番号（公開出願番号）：特開2004-182551
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】低転位であって劈開性がありしかも結晶製造デバイス製造過程においてウエハにクラックが発生せず破断しないようにした窒化ガリウム単結晶基板を製造する。【解決手段】外周部Rも中央部Qも同じように開口部と被覆部が規則的に繰り返す周期性大パターンとラテラルオーバーグロース用小パターンを有する複合マスクを下地基板結晶の表面の外周部Rと中央部Qに形成し、複合マスクの上からGaNを下地基板の上にファセットを維持しながら気相成長させ、不規則に分布する欠陥集合領域Hとそれに隣接する低欠陥単結晶領域Uと規則的に配列する欠陥集合領域Hとそれに隣接する低欠陥単結晶領域Uを発生させ、規則配列する領域の面積Gと不規則分布する領域の面積Fの合計(G+F)によって不規則分布領域の面積Fを割ったランダム面積比Mが中央部Qで10%以下、外周部Rで10%以上とし、外周部Rによって中央部Qを補強しクラックの発生を抑制する。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
外周部Rと中央部Qを持ち、規則的に配列した複数の欠陥集合領域Hgとそれに隣接する低欠陥単結晶領域Ugと、不規則に分布する複数の欠陥集合領域Hfとそれに隣接する低欠陥単結晶領域Ufを含み、不規則分布欠陥集合領域Hfとそれに隣接する低欠陥単結晶領域Ufの面積の合計をFとし、規則配列欠陥集合領域Hgとそれに隣接する低欠陥単結晶領域Ugの面積の合計をGとし、不規則領域面積Fの全体の面積(F+G)に対する値としてランダム面積比M=F/(F+G)を定義し、中央部Qでのランダム面積比Mqよりも外周部Rでのランダム面積比Mrの方が高い(Mr>Mq)ことを特徴とする単結晶窒化ガリウム基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DA01
, 4G077DB01
, 4G077EE05
, 4G077EE07
, 4G077SA04
, 4G077SA06
, 4G077TB02
, 4G077TB05
, 4G077TC16
