プラズマ加工システムによる基板エッチング法

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：廣江武典 , 武川隆宣 , ▲高▼荒新一 , 西尾務
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-503965
公開番号（公開出願番号）：特表2007-529905
出願日： 2005年03月09日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

プラズマ加工システムで基板をエッチングする方法を提供する。基板は、半導体層、その半導体層上方に提供された第1バリアー層、その第1バリアー層上方に提供された低k層、その低k層上方に提供された第3ハードマスク層、その第3ハードマスク層上方に提供された第2ハードマスク層、及びその第2ハードマスク層上方に提供された第1ハードマスク層を有する。方法には、第1ハードマスク層の第1ハードマスク材料、第3ハードマスク層の第3ハードマスク材料、及び第1バリアー層の第1バリアー層材料に対して低選択度を有するが、第2ハードマスク層の第2ハードマスク材料に対しては高選択度を有する第1エチャントと、第1ハードマスク層の第1ハードマスク材料、第3ハードマスク層の第3ハードマスク材料、及び第1バリアー層の第1バリアー層材料に対しては高選択度を有する第2エチャントとで基板を交互にエッチングするステップが含まれ、第1エチャントは第2ハードマスク層の第2ハードマスク材料に対して低選択度を有する。

請求項（抜粋）：

プラズマ加工システムにおいて、半導体層、該半導体層上方に提供された第1バリアー層、該第1バリアー層上方に提供された低k層、該低k層上方に提供された第3ハードマスク層、該第3ハードマスク層上方に提供された第2ハードマスク層、及び該第2ハードマスク層上方に提供された第1ハードマスク層を含んだ基板をエッチングする方法であって、本方法は、第1ハードマスク層の第1ハードマスク材料、第3ハードマスク層の第3ハードマスク材料、及び第1バリアー層の第1バリアー層材料に対しては低選択度を有しており、第2ハードマスク層の第2ハードマスク材料に対しては高選択度を有する第1エチャントと、第1ハードマスク層の第1ハードマスク材料、第3ハードマスク層の第3ハードマスク材料、及び第1バリアー層の第1バリアー層材料に対して高選択度を有する第2エチャントとで前記基板を交互にエッチングするステップを含んでおり、第1エチャントは第2ハードマスク層の第2ハードマスク材料に対して低選択度を有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L21/302 105A , H01L21/90 A

Fターム (29件)：

5F004AA02 , 5F004BA04 , 5F004BB18 , 5F004DA00 , 5F004DA16 , 5F004DB07 , 5F004EA03 , 5F004EB01 , 5F033MM02 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ21 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS04 , 5F033TT04 , 5F033XX00 , 5F033XX23 , 5F033XX27 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

デュアルダマシン配線をパターン形成する三層マスキングアーキテクチャ
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-582809 出願人：ダウグローバルテクノロジーズインコーポレイティド
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-291013 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-074381 出願人：富士通株式会社

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