特許
J-GLOBAL ID：200903065526900626

半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置

発明者：
増田 健吾

増田 健吾 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103485
公開番号（公開出願番号）：特開2002-298586
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 低電源電圧でも動作不良を起こすことなくデータの書き込みが可能な半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 所定の電源電圧及び接地電位が供給され、電源電圧であるHighデータ及び接地電位であるLowデータをそれぞれメモリセルで保持する半導体記憶装置のデータ書き込み方法であって、接地電位よりも低い所定の負電圧を生成し、メモリセルへのデータ書き込み動作時に、Lowデータを書き込むビット線に対して該負電圧を供給する。
請求項（抜粋）：
所定の電源電圧及び接地電位が供給され、前記電源電圧であるHighデータ及び前記接地電位であるLowデータをそれぞれメモリセルで保持する半導体記憶装置のデータ書き込み方法であって、前記接地電位よりも低い所定の負電圧を生成し、前記メモリセルへのデータ書き込み動作時に、前記Lowデータを書き込むビット線に対して前記負電圧を供給する半導体記憶装置のデータ書き込み方法。
IPC (2件)：
G11C 11/417 ,  G11C 11/413
FI (2件)：
G11C 11/34 305 ,  G11C 11/34 335 A
Fターム (7件)：
5B015JJ02 ,  5B015JJ11 ,  5B015KA33 ,  5B015KB64 ,  5B015KB92 ,  5B015QQ03 ,  5B015QQ11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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