特許
J-GLOBAL ID：200903065576992270

薄膜キャパシタ素子

発明者：
村田 眞司

村田 眞司 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (4件)： 武 顕次郎 ,  鈴木 市郎 ,  市村 裕宏 ,  小林 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182487
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005293
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 上部電極から誘電体層へのイオンマイグレーションを確実に防止して信頼性を高めた薄膜キャパシタ素子を提供すること。【解決手段】 薄膜キャパシタ素子10は、基板1上に順次形成された下部電極2および誘電体層3と、誘電体層3を露出させる開口5aを有して該誘電体層3の周縁部を覆う位置に形成された絶縁樹脂層5と、絶縁樹脂層5上および開口5a内の誘電体層3上に形成された拡散防止層6と、拡散防止層6上に形成されて開口5a内で該拡散防止層6および誘電体層3を介して下部電極2と対向する上部電極4とを備えており、拡散防止層6はTaやTaN等の金属材料にて薄膜形成されている。拡散防止層6には下部電極2上に位置する上部電極4の側端面よりも外方へ延びる延出部6aが設けられており、この延出部6aは上部電極4と同電位なので該側端面と下部電極2との間の電界を遮断する効果がある。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に順次形成された下部電極および誘電体層と、この誘電体層を露出させる開口を有して該誘電体層の周縁部を覆う位置に形成された絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層上および前記開口内の前記誘電体層上に形成された金属材料からなる拡散防止層と、この拡散防止層上に形成されて前記開口内で該拡散防止層および前記誘電体層を介して前記下部電極と対向する上部電極とを備え、前記拡散防止層に、前記下部電極上に位置する前記上部電極の側端面よりも外方へ延びる延出部を設ける構成としたことを特徴とする薄膜キャパシタ素子。
IPC (1件)：
H01G 4/33
FI (1件)：
H01G4/06 102
Fターム (10件)：
5E082AB03 ,  5E082BC36 ,  5E082EE05 ,  5E082EE18 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE39 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 薄膜キャパシタ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-202394   出願人：アルプス電気株式会社
審査官引用 (5件)
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