特許
J-GLOBAL ID：200903065651002249

薄膜光電変換装置

発明者：
中島 昭彦

中島 昭彦 について

, 
中田 年信

中田 年信 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082599
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274430
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 変換効率の低下を防止することができる薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 薄膜光電変換装置1は、ガラス基板11と、ガラス基板11の上に形成された、実質的に非晶質シリコンからなる光電変換層を含む非晶質型光電変換ユニット13と、非晶質型光電変換ユニット13の上に形成された、抵抗率が1×10-4Ωcm以上1×10-2Ωcm以下の透明導電層21と、透明導電層21の上に形成された、実質的に多結晶シリコンからなる光電変換層を含む多結晶型光電変換ユニット14とを備える。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板の上に形成された、実質的に非晶質シリコンからなる光電変換層を含む非晶質型光電変換ユニットと、前記非晶質型光電変換ユニットの上に形成された、抵抗率が1×10-4Ωcm以上1×10-2Ωcm以下の透明導電層と、前記透明導電層の上に形成された、実質的に多結晶シリコンからなる光電変換層を含む多結晶型光電変換ユニットとを備えた、薄膜光電変換装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 W
Fターム (7件)：
5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03
引用特許：
審査官引用 (16件)
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