特許

J-GLOBAL ID：200903065721292460

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 高尾 大輔 ,  富家 正博
出願人/特許権者： アオイ電子株式会社 ,  九州日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120053
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303028
出願日： 2005年04月18日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】 電気特性および放熱特性の優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子2は、搭載パッド部4bの略中央に実装される。外部電極3bおよび搭載パッド部4bは、Cuからなる。外部電極3bおよび搭載パッド部4bの上面には、ワイヤ5と外部電極3bとが接続するために、Ag層3a,4aが形成され、下面には、外部電極3bと搭載パッド部4bとが半田と接続するために、Sn-Pb層3c,4cが形成される。また、半導体素子2と外部電極3bとはAuのワイヤ5によって電気的に接続しており、6つの外部電極3bのうちの4つの外部電極3bと半導体素子2とが電気的に接続している。そして、半導体素子2、ワイヤ5、外部電極3bおよび搭載パッド部4bは、エポキシ樹脂などからなる樹脂6によって封止される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、 前記半導体素子が搭載された搭載パッドと、 前記半導体素子とワイヤにより電気的に接続している外部電極とを備え、 前記半導体素子と前記搭載パッドと前記ワイヤと前記外部電極とが樹脂によって封止されている半導体装置であって、 前記搭載パッドと前記外部電極とは電鋳によるCuから成り、前記半導体装置の底面に露出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/12

FI (1件)：

H01L23/12 L

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置、その製造方法、及び電着フレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-078791   出願人：トレックス・セミコンダクター株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-213351   出願人：九州日立マクセル株式会社, トレックス・セミコンダクター株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-063152   出願人：株式会社三井ハイテック
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-350972   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-267607   出願人：富士通株式会社