ポジ型レジスト積層物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-188051
公開番号（公開出願番号）：特開2002-006494
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：

【要約】【課題】遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、特に0.2μm以下の微細なライン/スペースにおけるラインうねり及び現像欠陥が少なく、更に高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供する。【解決手段】基板上に第1レジスト層を有し、この上に第2レジスト層を有する2層レジストであって、第1レジスト層が(A-1)式(1)の繰返し単位及び式(2)の繰返し単位をともに含むポリマーを含有し、第2レジスト層が(B)酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサンと、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有するポジ型レジスト積層物。【化1】

請求項（抜粋）：

基板上に第1レジスト層を有し、この上に第2レジスト層を有する2層レジストであって、第1レジスト層が、(A-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位及び下記一般式(2)で表される繰返し単位をともに含むポリマーを含有し、また第2レジスト層が、(B)酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサンと、(C)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。【化1】式中、Y1は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、L1は置換基を有していてもよい2価の連結基を表し、Jは置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表す。a1は0又は1を表す。Y2はY1と同義であり、L2はL1と同義である。Kは置換基を有していてもよいアリール基を表す。a2、a3はそれぞれ独立に0又は1を表す。

IPC (12件)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , C08K 5/03 , C08K 5/16 , C08K 5/42 , C08L 33/04 , C08L 83/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , G03F 7/075 511 , G03F 7/095 , H01L 21/027

FI (12件)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , C08K 5/03 , C08K 5/16 , C08K 5/42 , C08L 33/04 , C08L 83/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , G03F 7/075 511 , G03F 7/095 , H01L 21/30 502 R

Fターム (76件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC07 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF01 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025BF13 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CB47 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025DA13 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 4J002BG031 , 4J002BG071 , 4J002CH052 , 4J002CP03 , 4J002CP031 , 4J002CP032 , 4J002EB006 , 4J002EB107 , 4J002EH038 , 4J002EH048 , 4J002EN136 , 4J002EQ016 , 4J002ER027 , 4J002ET016 , 4J002EU137 , 4J002EU186 , 4J002EU187 , 4J002EU196 , 4J002EV237 , 4J002EV257 , 4J002EV296 , 4J002FD146 , 4J002FD207 , 4J002FD312 , 4J002FD318 , 4J100AB03P , 4J100AB03Q , 4J100AB03R , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AM05P , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA29P , 4J100BA30P , 4J100BB01P , 4J100BB01Q , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100BC26P , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-227633 出願人：信越化学工業株式会社
下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-186575 出願人：株式会社東芝
ポジ型シリコーンレジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-187885 出願人：日本電信電話株式会社

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