特許
J-GLOBAL ID：200903065872659250

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-069871
公開番号（公開出願番号）：特開2006-251551
出願日： 2005年03月11日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】電子線、KrFエキシマレーザー光、又はEUV光などの照射によるパターン形成に関して、感度、解像力に優れ、更にはパターン形状、疎密依存性、溶解コントラストにも優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定の繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物であって、(A)の樹脂が、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析において、分子量1000未満のオリゴマー成分の面積%が5%以下、かつ、分子量15000以上の高分子量成分の面積%が10%以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(A1)で表される繰り返し単位及び/又は一般式(A2)で表される繰り返し単位、並びに一般式(A3)で表される繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、及び、 (B)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物であって、 (A)の樹脂が、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析において、分子量1000未満のオリゴマー成分の面積%が5%以下、かつ、分子量15000以上の高分子量成分の面積%が10%以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
Fターム (22件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA10 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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