特許
J-GLOBAL ID：200903065917359156
半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法並びに結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307452
公開番号（公開出願番号）：特開2003-112999
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 基板主面の平坦性が向上した、特に六方柱状晶(コラム)を含まないウルツァイト型基板を形成できるようにする。【解決手段】 ウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板は、面方位が(0001)面から晶帯軸の<10-10>方向に約45°〜約65°傾いた主面を有している。これにより、従来のように(0001)面を主面とするウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板上に半導体結晶を成長した場合のような六方柱状晶を含むことがない。
請求項（抜粋）：
ウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板であって、面方位が(0001)面から晶帯軸の<10-10>方向に約45°〜約65°傾いた主面を有していることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/38 D
, H01L 21/205
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE12
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CF10
, 4G077ED05
, 4G077FG16
, 4G077HA02
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AF02
, 5F045AF04
, 5F045AF13
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045CA13
, 5F045DA61
, 5F045HA04
