特許
J-GLOBAL ID:200903065918964053
液晶表示装置のアクティブパネルの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-240344
公開番号(公開出願番号):特開2001-066634
出願日: 1999年08月26日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】液晶表示装置のアクティブパネルのアルミ(Al)膜を含むゲート配線等の耐食性を向上する。【解決手段】基板1上に第1のバリアメタル、Al膜2を順次堆積した後Al膜2をパターニングした後、さらに第2のバリアメタル6を堆積し、次いで第1のバリアメタル2と第2のバリアメタル6をパターニングして配線を形成した後温水処理し、第2のバリアメタル6のボイド60中にAl水酸化膜70を形成して配線の耐食性を向上する。
請求項(抜粋):
基板上に第1のバリアメタルとアルミニウム系金属膜を順次堆積した後、前記アルミニウム系金属膜をパターニングする工程と、前記パターニングした前記アルミニウム系金属膜の表面および側面を含む基板上に第2のバリアメタルを堆積する工程と、前記パターニングした前記アルミニウム系金属膜の下面を前記第1のバリアメタルと前記アルミニウム系金属膜の上面および側面を前記第2のバリアメタルで被覆するように前記第1のバリアメタルと前記第2のバリアメタルをパターニングして前記第1のバリアメタル,前記アルミニウム系金属膜および前記第2のバリアメタルの多層膜からなるゲートパッド,ゲート電極、ゲート配線をそれぞれ形成する工程と、ゲート絶縁膜を前記基板上に堆積した後、該ゲート絶縁膜上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、前記基板上に絶縁膜を堆積後、この絶縁膜上に画素電極を形成する工程とを含む液晶表示装置のアクティブパネルの製造方法において、前記ゲートパッド,前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成した後、前記ゲート絶縁膜を前記基板上に堆積する前に、前記ゲートパッド,前記ゲート電極および前記ゲート配線の表面を温水処理することを特徴とする液晶表示装置のアクティブパネルの製造方法。
IPC (4件):
G02F 1/1365
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 29/786
FI (4件):
G02F 1/136 500
, H01L 21/28 B
, H01L 21/88 R
, H01L 29/78 617 L
Fターム (78件):
2H092GA17
, 2H092GA25
, 2H092GA29
, 2H092GA34
, 2H092HA06
, 2H092HA16
, 2H092HA28
, 2H092JA24
, 2H092JA34
, 2H092JA38
, 2H092JA41
, 2H092JA46
, 2H092KA05
, 2H092KB25
, 2H092MA15
, 2H092MA19
, 2H092MA23
, 2H092MA29
, 2H092NA15
, 2H092NA25
, 4M104AA01
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104CC05
, 4M104DD37
, 4M104DD88
, 4M104FF13
, 4M104FF17
, 4M104FF21
, 4M104GG09
, 4M104GG14
, 4M104HH03
, 4M104HH20
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH18
, 5F033HH21
, 5F033MM08
, 5F033MM11
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP15
, 5F033PP33
, 5F033QQ37
, 5F033QQ89
, 5F033VV06
, 5F033VV07
, 5F033VV15
, 5F033WW03
, 5F033XX16
, 5F110AA27
, 5F110BB01
, 5F110CC08
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE15
, 5F110EE37
, 5F110EE44
, 5F110EE48
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG42
, 5F110HK32
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL07
, 5F110HL22
, 5F110NN24
, 5F110NN33
引用特許:
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