半導体製造装置、ディストーション計測補正方法およびデバイス製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164901
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340847
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】ウエハプロセス毎のディストーションの計測補正を、半導体製造装置が本来有する構成により、短時間で、自動的かつ高精度に行うことができるようにする。【解決手段】原版RTのパターンを基板上に露光するための投影光学系LNと、前記基板を前記原版に対して位置決めする位置決め手段MRX、MRY、IFX、IFY、MX、MYと、露光に際して前記基板を前記原版のパターンに位置合せするために前記基板上に形成されたマークを検出するマーク検出手段OEと、その検出結果に基づいて前記マークの位置を得、前記位置決め手段を制御する情報処理手段CUとを備えた半導体製造装置において、前記情報処理手段により、原版の複数マークを含むパターンを基板上に前記投影光学系を介して露光して形成した各マークの像を、前記マーク検出手段で検出し、その検出結果に基づいて前記投影光学系のディストーション値を得る。

請求項（抜粋）：

原版のパターンを基板上に露光するための投影光学系と、前記基板を前記原版に対して位置決めする位置決め手段と、露光に際して前記基板を前記原版のパターンに位置合せするために前記基板上に形成されたマークを検出するマーク検出手段と、その検出結果に基づいて前記マークの位置を得、前記位置決め手段を制御する情報処理手段とを備えた半導体製造装置において、前記情報処理手段は、原版の複数マークを含むパターンを基板上に前記投影光学系を介して露光して形成した各マークの像を、前記マーク検出手段で検出し、その検出結果に基づいて前記投影光学系のディストーション値を得るものであることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G01B 11/00 , G03F 7/207

FI (3件)：

H01L 21/30 516 A , G01B 11/00 A , G03F 7/207 H

引用特許：

出願人引用 (7件)

位置合わせ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-137642 出願人：株式会社ニコン
露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-149278 出願人：株式会社ニコン
アライメント方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-282937 出願人：日本電気株式会社

全件表示

審査官引用 (7件)

位置合わせ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-137642 出願人：株式会社ニコン
露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-149278 出願人：株式会社ニコン
アライメント方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-282937 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る