特許
J-GLOBAL ID:200903066126974155

金属オキシナイトライド電極触媒の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-164885
公開番号(公開出願番号):特開2006-334542
出願日: 2005年06月03日
公開日(公表日): 2006年12月14日
要約:
【課題】酸化物中の酸素の一部を窒素で置換した遷移金属のオキシナイトライドは、光触媒機能を有するものがあることが知られており、酸性電解質中で安定に存在することができる。しかしながら、これらの遷移金属のオキシナイトライドは還元電流が小さく、触媒活性が低く、これまで、酸性電解質中において可逆水素電極電位に対して0.4V以上の電位で使用されるような遷移金属オキシナイトライドは見出されていなかった。【解決手段】電極触媒担体材料を200°C以上に加熱した状態でTa,Nb,Ti,Zrからなる弁金属の群から選択される少なくとも一つの遷移金属元素のオキシナイトライド薄膜をスパッタリング法により該担体材料表面に付着させることによって、酸性電解質中において可逆水素電極電位に対して0.4V以上の電位で使用される金属オキシナイトライド電極触媒を得ることを特徴とする電極触媒の製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電極触媒担体材料を200°C以上に加熱した状態でTa,Nb,Ti,Zrからなる弁金属の群から選択される少なくとも一つの遷移金属元素のオキシナイトライド薄膜をスパッタリング法により該担体材料表面に付着させることによって、酸性電解質中において可逆水素電極電位に対して0.4V以上の電位で使用される金属オキシナイトライド電極触媒を得ることを特徴とする電極触媒の製造方法。
IPC (6件):
B01J 37/02 ,  B01J 27/24 ,  C23C 14/06 ,  C25B 11/06 ,  H01M 4/88 ,  H01M 4/90
FI (6件):
B01J37/02 301P ,  B01J27/24 M ,  C23C14/06 K ,  C25B11/06 A ,  H01M4/88 K ,  H01M4/90 X
Fターム (40件):
4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA20 ,  4G169BA08B ,  4G169BB20A ,  4G169BB20B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BC51A ,  4G169BC51B ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC56B ,  4G169BD02A ,  4G169BD02B ,  4G169BD06A ,  4G169BD06B ,  4G169CC32 ,  4G169CC40 ,  4G169FA02 ,  4G169FB02 ,  4K011AA21 ,  4K011AA29 ,  4K011DA01 ,  4K011DA10 ,  4K029AA04 ,  4K029AA27 ,  4K029BA41 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029EA08 ,  5H018AA04 ,  5H018AS03 ,  5H018BB01 ,  5H018BB07 ,  5H018EE02 ,  5H018EE05 ,  5H018EE11 ,  5H018HH06 ,  5H018HH08
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
引用文献:
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