特許
J-GLOBAL ID：200903066241952637

SiC単結晶の製造方法

発明者：
坂元 秀光

坂元 秀光 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  亀松 宏 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-014726
公開番号（公開出願番号）：特開2007-197231
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】成長面の平坦性を安定に維持し多結晶化を防止して大口径のSiC単結晶を成長させることができる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持した六方晶のSiC種結晶を起点として六方晶のSiC単結晶を成長させる方法において、上記SiC種結晶の(0001)面から〔1-100〕方向へ所定のオフ角だけ傾斜した面に、上記SiC単結晶を成長させる。上記オフ角が1〜30°であることが望ましく、上記オフ角が90°である(1-100)面に上記SiC単結晶を成長させることが最も望ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持した六方晶のSiC種結晶を起点として六方晶のSiC単結晶を成長させる方法において、 上記SiC種結晶の(0001)面から〔1-100〕方向へ所定のオフ角だけ傾斜した面に、上記SiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA71 ,  4G077QA79
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM