特許
J-GLOBAL ID：200903009550387690
炭化珪素単結晶基板と炭化珪素単結晶エピタキシャル基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-102683
公開番号（公開出願番号）：特開2003-300797
出願日： 2002年04月04日
公開日（公表日）： 2003年10月21日
要約：
【要約】【課題】 デバイス製造に適した炭化珪素単結晶エピタキシャル薄膜成長用炭化珪素単結晶基板を提供する。【解決手段】 エピタキシャル薄膜成長させる面が、(11-20)面から、<0001>軸を中心に[1-100]軸方向に-45度以上45度以下の範囲にある任意の一方向に、3度以上60度以下、傾いた面である炭化珪素単結晶エピタキシャル薄膜成長用炭化珪素単結晶基板である。当該成長用炭化珪素単結晶基板を用いることによって、積層欠陥が非常に少なく、表面モフォロジーの優れたSiC単結晶エピタキシャル基板が得られる。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル薄膜成長させる面が、(11-20)面から、<0001>軸を中心に[1-100]軸方向に-45度以上45度以下の範囲にある任意の一方向に、3度以上60度以下、傾いた面である炭化珪素単結晶エピタキシャル薄膜成長用炭化珪素単結晶基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/205
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB04
, 4G077DB07
, 4G077EA02
, 4G077ED05
, 4G077HA06
, 4G077TA04
, 4G077TB02
, 4G077TK06
, 5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC13
, 5F045AD18
, 5F045AE29
, 5F045AF02
, 5F045AF13
, 5F045BB01
, 5F045BB12
, 5F045EK02
