特許
J-GLOBAL ID：200903066314710025

不揮発性メモリセル及びEEPROM

発明者：
田中 浩治

田中 浩治 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-342079
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149947
出願日： 2005年11月28日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】PROGRAM時とERASE時の間の電荷供給効率のアンバランスを解消すること。【解決手段】本発明に係る不揮発性メモリセルは、基板中に形成された第1ウエル11と、ゲート絶縁膜を介して基板上に形成された浮遊ゲート40とを備えている。浮遊ゲート40は、第1ウエル11中のトンネル領域15とオーバラップするように形成されている。浮遊ゲート40に対する電荷の授受は、トンネル領域15と浮遊ゲート40との間のゲート絶縁膜を介して行われる。第1ウエル11中には、トンネル領域15に接するように第1拡散層12と第2拡散層13が形成されている。第1拡散層12と第2拡散層13は、反対の導電型を有し、同じ長さにわたってトンネル領域15に接するように形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板中に形成された第1ウエルと、 前記第1ウエル中の第1領域とオーバラップするように、ゲート絶縁膜を介して前記基板上に形成された浮遊ゲートと、 前記第1領域に接するように前記第1ウエル中に形成された第1拡散層及び第2拡散層と を具備し、 前記浮遊ゲートに対する電荷の授受は、前記第1領域と前記浮遊ゲートとの間の前記ゲート絶縁膜を介して行われ、 前記第1拡散層と前記第2拡散層は、反対の導電型を有し、前記浮遊ゲートに対する電荷供給効率が同じになるように設けられた 不揮発性メモリセル。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434
Fターム (13件)：
5F083EP13 ,  5F083EP22 ,  5F083ER11 ,  5F083NA01 ,  5F101BA02 ,  5F101BB06 ,  5F101BB17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM