特許
J-GLOBAL ID：200903066358358787

半導体装置及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
須沢 英臣

須沢 英臣 について

, 
笹川 慎也

笹川 慎也 について

, 
倉田 求

倉田 求 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-060946
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270759
出願日： 2008年03月11日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】コンタクトホール形成時のエッチングの制御を容易に行う半導体装置を作製する技術を提案する。【解決手段】少なくとも絶縁表面上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第2の絶縁層と、を有し、少なくとも半導体層及び第2の絶縁層に開口部が形成されて絶縁表面が部分的に露出されており、開口部を介して第2の絶縁層上に形成された導電層と、を有する。なお、ここで導電層は半導体層に形成された開口の側面において半導体層と電気的に接続している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成された半導体層と、 前記半導体層上に形成された第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成された第2の絶縁層と、 少なくとも前記半導体層及び前記第2の絶縁層に形成された、前記絶縁表面に達する開口部を介して前記第2の絶縁層上に形成された導電層と、 を有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/136
FI (8件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/28 L ,  H05B33/14 A ,  G02F1/1368
Fターム (138件)：
2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA18 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107GG12 ,  3K107GG13 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB40 ,  4M104DD02 ,  4M104DD07 ,  4M104DD16 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5B035AA04 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23 ,  5F110AA16 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG39 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM