特許
J-GLOBAL ID：200903066380555600

III-V族半導体素子、およびその製造方法

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について

, 
堀内 茂美

堀内 茂美 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-018478
公開番号（公開出願番号）：特開2008-186959
出願日： 2007年01月29日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】レーザーリフトオフ工程を有する半導体素子の製造方法において、半導体素子の側端面での短絡を防止すること【解決手段】サファイア基板10に達する溝によって分離されたIII 族窒化物半導体からなる半導体層11をサファイア基板10上に形成し、半導体層11の側端面および上面、サファイア基板10上面に、短絡を防止するための保護膜14を形成する。次に、溝に樹脂層を形成し(図1F)、低融点金属層16を介して支持基板18と接合する。その後、レーザーリフトオフによりサファイア基板10を分離除去する。樹脂層は保護膜14の支持体として機能し、保護膜14に割れや欠けが生じるのを防止する。その結果、保護膜14の割れや欠けによる電流のリークやショートが発生しない。【選択図】図1F
請求項（抜粋）：
III -V族半導体で構成された半導体素子の製造方法において、 基板上に、p電極および低融点金属拡散防止層を上面に有し、前記基板に達する溝によって互いに分離された複数の前記半導体素子を形成する工程と、 前記半導体素子の少なくとも側端面を覆うように、誘電体からなる保護膜を形成する工程と、 前記溝の底面である基板上に樹脂層を形成する工程と、 前記半導体素子と伝導性の支持基板を低融点金属層を介して接合する工程と、 レーザーリフトオフにより前記基板を除去する工程と、 を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (10件)：
5F041AA25 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (4件)
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