特許
J-GLOBAL ID：200903066802517838
窒化物半導体素子及びその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
萼 経夫
, 宮崎 嘉夫
, 舘石 光雄
, 小野塚 薫
, 田上 明夫
, ▲高▼ 昌宏
, 中村 壽夫
, 加藤 勉
, 村越 祐輔
, 小宮 知明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-141375
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333130
出願日： 2005年05月13日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 レーザリフトオフ工程時、窒化物半導体単位素子に発生するクラックや損傷を最小限にする窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板100上に窒化物半導体を蒸着して形成した複数個の窒化物半導体単位素子110間を除去して、トレンチを互いに間隔をおいて形成する。トレンチ115領域にだけ前記誘電体物質を充填し、誘電体の上面が第1電極120の上面よりやや高く形成されるよう、前記第1電極120の上部を除去し、クラック防止壁130を形成する。クラック防止壁130と第1電極120の全体を、伝導性金属で覆って、接合強化板140を形成する。接合強化板140にボンディング部材150を介して、キャリア基板160を接合し、窒化物半導体単位素子110と結合されているサファイア基板100を、レーザリフトオフ工程により分離する。【選択図】 図1h
請求項（抜粋）：
窒化物半導体単位素子のそれぞれの間にボイドであるトレンチが形成されるように、窒化物半導体単位素子を相互に分離させ基板上部に繰り返して形成する段階と、
前記窒化物半導体単位素子それぞれの上に電極を形成する段階と、
前記トレンチ内部にクラック防止壁を形成する段階と、
前記電極と前記クラック防止壁の上に、伝導性物質からなる接合強化板を形成する段階と、
前記接合強化板とキャリア基板をボンディング部材で接合する段階と、
前記窒化物半導体単位素子及びクラック防止壁から、基板をレーザリフトオフする段階とを含む窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L33/00
, H01S5/02
, H01S5/323
H01L33/00 C
, H01S5/02
, H01S5/323 610
5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA75
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CB25
, 5F173AD02
, 5F173AH22
, 5F173AH48
, 5F173AK02
, 5F173AP91
, 5F173AQ02
, 5F173AQ03
, 5F173AQ05
, 5F173AR92
