特許
J-GLOBAL ID：200903050809662970
縦方向構造を有するLEDの製作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-585153
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522873
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
GaN LEDのような半導体デバイスを、サファイアのような絶縁基板上に製作する方法。半導体層を、通常の半導体処理技術を使用して絶縁基板上に作る。次いで、有利には誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングによって、個々のデバイスの境界を画定するトレンチを、半導体層を通して絶縁基板中に形成する。その後、トレンチを除去が容易な層で満たす。次に、金属製の支持構造を(メッキ又は蒸着などにより)半導体層上に形成し、絶縁層を除去する。個々のデバイスに電気コンタクト、不活性化層、及び金属性パッドを加えてから、個々のデバイスをダイシングする。
請求項（抜粋）：
金属層と、
金属層に隣接するGaNコンタクト層と、
GaN緩衝層と、
GaNコンタクト層とGaN緩衝層の間に配置された発光層と、
GaN緩衝層上のオームコンタクトと
を備えた発光デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA33
, 5F041AA44
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA73
, 5F041CA75
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CA98
