特許
J-GLOBAL ID：200903025062682203
窒化物系半導体素子及び窒化物系半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
寺山 啓進
, 三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-133462
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310657
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】複数の発光素子毎に分割する際、発光領域にまでクラックが入らず、歩留まりの低下を抑制する窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】窒化物系半導体素子は、成長基板上に少なくとも1層以上の窒化物系半導体素子層2、3からなる複数の発光素子を形成する工程と、窒化物系半導体素子層2、3上に支持基板6を接合する工程と、接合された窒化物系半導体素子層2、3及び支持基板6から成長基板を除去する工程とによって製造される。窒化物系半導体素子は、複数の発光素子の分割領域にあたる窒化物系半導体素子層2、3と支持基板6との間の空洞部に、樹脂10が充填されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
成長基板上に少なくとも1層以上の窒化物系半導体素子層からなる複数の発光素子を形成する工程と、前記窒化物系半導体素子層上に支持基板を接合する工程と、接合された前記窒化物系半導体素子層及び前記支持基板から前記成長基板を除去する工程とによって製造される窒化物系半導体素子であって、
前記複数の発光素子の分割領域にあたる前記窒化物系半導体素子層と前記支持基板との間の空洞部に、樹脂が充填されていることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA75
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP05
, 5F173AP43
, 5F173AP93
, 5F173AQ03
, 5F173AR93
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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