特許
J-GLOBAL ID:200903066573660869

パターン形成装置、パターン形成方法、基材

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 誠一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-066328
公開番号(公開出願番号):特開2004-272167
出願日: 2003年03月12日
公開日(公表日): 2004年09月30日
要約:
【課題】前工程パターンとの位置ずれ防止を可能とするパターン形成装置、パターン形成方法等を提供する。【解決手段】パターン形成装置100は、CCDカメラ302により基材303上を走査し、アライメントマークの画像データ等を取得し(ステップ502)、画像データについて画像処理を行い、基材長に関する測定データを取得する(ステップ503)。パターン形成装置100は、測定データに基づいて、新たなパターンの描画位置に関する描画データを算出し(ステップ504)、転写シート306を基材303上に積層し(ステップ506)、照射ヘッド301により基材303上を走査し、描画データに基づいて、転写シート306上にレーザビーム307を照射し、転写層を基材303上に転写、描画する(ステップ507)。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
ビーム照射を行うことによりパターンの形成を行うパターン形成装置であって、 基材上のマーク間距離を測定し測定データとして保持する測定手段と、 前記測定データに基づいて新たなパターンの描画位置に関する描画データを算出する描画データ算出手段と、 前記描画データに基づいて前記ビーム照射を行う照射手段と、 を具備することを特徴とするパターン形成装置。
IPC (3件):
G03F9/00 ,  G02F1/1335 ,  G03F7/20
FI (3件):
G03F9/00 A ,  G02F1/1335 505 ,  G03F7/20 505
Fターム (16件):
2H091FA02Y ,  2H091FA34Y ,  2H091FB02 ,  2H091FC12 ,  2H091FC29 ,  2H091GA01 ,  2H091GA02 ,  2H091GA13 ,  2H091LA30 ,  2H097AA03 ,  2H097AB05 ,  2H097CA17 ,  2H097GB02 ,  2H097KA03 ,  2H097KA29 ,  2H097LA12
引用特許:
審査官引用 (7件)
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