特許
J-GLOBAL ID:200903066597923542

エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-330904
公開番号(公開出願番号):特開2004-143153
出願日: 2003年09月24日
公開日(公表日): 2004年05月20日
要約:
【解決手段】 下記一般式(1)で示されるエステル化合物。 【化1】(式中、A1は炭素-炭素二重結合を有する重合性官能基を示す。A2はフランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルから選ばれる2価の基を示す。R1、R2はそれぞれ独立に炭素数1〜10の1価炭化水素基を示す。又は、R1、R2は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。R3は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜10の1価炭化水素基を示す。)【効果】 本発明のエステル化合物から得られる高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるエステル化合物。
IPC (7件):
C07D307/12 ,  C07D307/00 ,  C07D307/33 ,  C07D493/08 ,  C08F20/26 ,  C08F32/00 ,  C08G61/08
FI (7件):
C07D307/12 ,  C07D307/00 ,  C07D493/08 A ,  C08F20/26 ,  C08F32/00 ,  C08G61/08 ,  C07D307/32 Q
Fターム (41件):
4C037CA07 ,  4C037XA02 ,  4C071AA03 ,  4C071BB01 ,  4C071BB02 ,  4C071CC11 ,  4C071CC12 ,  4C071EE04 ,  4C071FF15 ,  4C071GG03 ,  4C071HH09 ,  4C071LL05 ,  4C071LL07 ,  4J032BA07 ,  4J032BA08 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032CA21 ,  4J032CA34 ,  4J032CA45 ,  4J032CA68 ,  4J032CG02 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL04Q ,  4J100AL08P ,  4J100AR02Q ,  4J100AR09P ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR31Q ,  4J100AR32P ,  4J100AR32Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA20P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100DA61 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (4件)
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