抵抗変化形有機メモリ素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-012955
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227905
出願日： 2007年01月23日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】抵抗変化形有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1電極と第2電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子において、該有機活性層が伝導性高分子とメタロセン化合物との混合物で形成される有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。本発明の有機メモリ素子は、スイッチング時間が短く、動作電圧が低く、製造コストが低く、信頼性が高いため、高集積・大容量のメモリ素子として具現可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と第2電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子において、前記有機活性層が、伝導性高分子と下記一般式1のメタロセン化合物との混合物で構成されることを特徴とする有機メモリ素子: [一般式1] CpMCp’ ........(1) 式中、Cp及びCp’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のR及びORから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり(ここで、置換基Rは同一または異なり、それぞれ独立的にC1〜20アルキル、C3〜20シクロアルキル、C5〜30ヘテロシクロアルキル、C2〜20アルケニル、C6〜20アリール、C5〜30ヘテロアリール、C7〜20アリールアルキル、またはC7〜30ヘテロアリールアルキルである); Mは、Fe、Ru、またはZrである。

IPC (6件)：

H01L 51/30 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , C08L 65/00 , C08L 79/02 , C08K 5/56

FI (6件)：

H01L29/28 220A , H01L27/10 449 , H01L29/28 100B , C08L65/00 , C08L79/02 , C08K5/56

Fターム (21件)：

4H050AA03 , 4H050AB92 , 4H050WB11 , 4H050WB21 , 4J002BJ001 , 4J002BM001 , 4J002CE001 , 4J002CM011 , 4J002EZ006 , 4J002GQ00 , 5F083FZ07 , 5F083GA01 , 5F083GA09 , 5F083HA10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083PR23

引用特許：

審査官引用 (5件)

メモリセル形成のためのインサイチュ表面処理
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-506168 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
分子メモリデバイスおよび方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-551577 出願人：ゼッタコア,インコーポレーテッド.
スイッチャブルメモリダイオード-新メモリデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-519442 出願人：スパンションエルエルシー

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