特許
J-GLOBAL ID：200903066614114165
炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-027764
公開番号（公開出願番号）：特開2003-226600
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月12日
要約：
【要約】【課題】 再現性良く良質な保護膜を形成し、ボイド発生による結晶品質劣化を抑制するSiC単結晶育成用種結晶、および、全面に渡り構造欠陥の存在しない良好な外観を有するSiC単結晶インゴット、ならびにこれらを再現性良く製造し得る製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶の成長面裏面に所定範囲内の厚さの有機薄膜を形成することで成長時の裏面からの原子離脱を抑制し、構造欠陥の極めて少ない高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。
請求項（抜粋）：
種結晶の単結晶成長面の裏面側が有機薄膜で被覆された炭化珪素単結晶育成用種結晶。
Fターム (12件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077DA19
, 4G077EA02
, 4G077ED01
, 4G077ED04
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA04
