特許
J-GLOBAL ID：200903066711753423

半導体の不純物濃度検査装置及び検査方法

発明者：
深澤 亮一

深澤 亮一 について


出願人/特許権者：
株式会社栃木ニコン

株式会社栃木ニコン について

, 
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 渡辺 隆男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184407
公開番号（公開出願番号）：特開2002-005828
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：
【要約】【課題】 被測定物たる半導体材料全体の不純物濃度を簡便に測定・検査し、不純物分布の様子を再生する不純物濃度検査装置を提供すること。【解決手段】 半導体の不純物濃度検査装置は、テラヘルツパルス光を半導体材料に照射するテラヘルツパルス光源と、半導体材料からの透過パルス光を検出する光検出手段と、透過パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率を得るテラヘルツ時間領域計測手段と、分光透過率に基づいてその半導体材料の不純物濃度を算出する演算手段とを備えて構成される。
請求項（抜粋）：
テラヘルツパルス光を半導体材料に照射するテラヘルツパルス光源と、前記半導体材料からの透過パルス光を検出する光検出手段と、前記透過パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率を得るテラヘルツ時間領域計測手段と、前記分光透過率に基づいて前記半導体材料の不純物濃度を算出する演算手段と、を備えたことを特徴とする半導体の不純物濃度検査装置。
IPC (3件)：
G01N 21/35 ,  G01N 21/00 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
G01N 21/35 Z ,  G01N 21/00 B ,  H01L 21/66 L
Fターム (35件)：
2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC07 ,  2G059CC20 ,  2G059DD13 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059FF01 ,  2G059FF04 ,  2G059FF10 ,  2G059GG01 ,  2G059GG08 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ20 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059MM08 ,  2G059MM10 ,  2G059MM20 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AA20 ,  4M106BA04 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CB02 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH32 ,  4M106DH37 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ15 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23
引用特許：
審査官引用 (12件)
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引用文献：
審査官引用 (5件)
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