半導体装置の作製方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-367099
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224070
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】非晶質半導体膜を結晶化して形成される結晶性半導体膜の結晶性を改善し、より高速に動作可能なTFTを実現する。【解決手段】絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜503に金属元素を添加して加熱処理により固相結晶化させて結晶性半導体膜506を形成し、金属元素を結晶性半導体膜に残存させたまま連続的に供給されるエネルギービーム508を照射して溶融帯を形成し、該溶融帯を走査することにより結晶性半導体膜の結晶性を改質する各段階を有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加して加熱処理により固相結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、前記金属元素を前記結晶性半導体膜に残存させたまま連続的に供給されるエネルギービームの照射して溶融帯を形成し、該溶融帯を走査することにより前記結晶性半導体膜の結晶性を改質する各段階を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 J , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 Z

Fターム (62件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA01 , 5F052BB02 , 5F052BB04 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB03 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE34 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-063900 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-271703 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-400307 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る