特許

J-GLOBAL ID：200903066766804922

気泡発生装置および気泡発生方法

発明者： 上山 智嗣 ,  宮本 誠 ,  野田 清治 ,  大家 泉 ,  上村 美貴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 朝日奈 宗太 ,  佐木 啓二 ,  秋山 文男 ,  田中 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-077113
公開番号（公開出願番号）：特開2004-283683
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】より微小な気泡を得ることができ、液面に浮上した気泡がすぐに消える気泡発生装置および気泡発生装置を提供する。【解決手段】カルボキシル基を持ち分子量をカルボキシル基の数で割った値が47以上140以下である物質を0.001mol/L以上1mol/L以下含み、かつpHが4以下である水の中で気泡を発生させる。あるいは、カルボキシル基とアミノ基を分子内に持ち分子量をカルボキシル基の数で割った値が94以上280以下である物質、分子内に水酸基を複数持ち分子量を水酸基の数で割った値が38以上73以下である物質、エステル基を持ち分子量をエステル基の数で割った値が47以上140以下である物質、またはスルホン酸基を持ち分子量をスルホン酸基の数で割った値が47以上140以下である物質を、0.001mol/L以上1mol/L以下含んだ水の中で気泡を発生させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

気泡発生槽と、該槽内に入れられた水と、該水中に気泡を発生させるための気泡発生手段とからなる気泡発生装置であって、 前記水が、カルボキシル基を持ち分子量をカルボキシル基の数で割った値が47以上140以下である物質を0.001mol/L以上1mol/L以下含み、pHが4以下である気泡発生装置。

IPC (5件)：

B08B3/08 ,  B01F1/00 ,  B01F3/04 ,  B08B3/04 ,  C02F1/78

FI (6件)：

B08B3/08 Z ,  B01F1/00 A ,  B01F3/04 D ,  B01F3/04 F ,  B08B3/04 Z ,  C02F1/78

Fターム (15件)：

3B201AA46 ,  3B201BB02 ,  3B201BB03 ,  3B201BB92 ,  4D050AA01 ,  4D050AA12 ,  4D050AB11 ,  4D050BB02 ,  4D050BD04 ,  4D050CA13 ,  4G035AB06 ,  4G035AB20 ,  4G035AB22 ,  4G035AC15 ,  4G035AE02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331555   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• ガラス基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-030940   出願人：富士電機株式会社
• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-167470   出願人：住友精密工業株式会社
• 酸性ガス除去装置及びこれを備えたガスハイドレート製造システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-140844   出願人：三菱重工業株式会社