特許

J-GLOBAL ID：200903066796240489

MOS型固体撮像装置

発明者： 杉浦 貞重 ,  稲垣 誠
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218361
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035993
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】従来よりもOB段差を軽減することができ、またOB段差を完全に解消することが可能なMOS型撮像装置を提供する。 【解決手段】受光素子を含む単位セルが複数個配列されているMOS型固体撮像装置であって、前記受光素子の受光面は、トランスファーゲートに隣接する一の導電型の第1領域と、トランスファーゲートから乖離し、第1領域に隣接し、且つ第1領域よりも不純物濃度が高い一の導電型の第2領域からなり、前記単位セルには、入射光が遮光層により遮られて受光面に当たらない遮光セルと、入射光が遮光層により遮られることなく受光面に当たり受光量に応じた輝度情報を蓄積する受光セルとがあり、前記トランスファーゲートと前記第2領域との間隔が前記遮光セルと前記受光セルとで異なる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

受光素子を含む単位セルが、複数個配列されているMOS型固体撮像装置であって、 前記受光素子の受光面は、トランスファーゲートに隣接する一の導電型の第1領域と、トランスファーゲートから乖離し、第1領域に隣接し、且つ第1領域よりも不純物濃度が高い一の導電型の第2領域からなり、 前記単位セルには、 入射光が遮光層により遮られて、受光面に当たらない遮光セルと、 入射光が遮光層により遮られることなく受光面に当たり、受光量に応じた輝度情報を蓄積する受光セルとがあり、 前記トランスファーゲートと前記第2領域との間隔が、前記遮光セルと前記受光セルとで異なること を特徴とするMOS型固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U

Fターム (14件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA34 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GB09 ,  5C024BX01 ,  5C024CX32 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ36 ,  5C024HX01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145473   出願人：オリンパス光学工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-193386   出願人：シャープ株式会社
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-381767   出願人：ソニー株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-296062   出願人：ソニー株式会社
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-000764   出願人：シャープ株式会社