特許
J-GLOBAL ID：200903066801607094
強誘電体材料の製法および半導体記憶装置とその製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256016
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101430
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：
【要約】【課題】 ReMnO3 の基本構造で、結晶性に優れ、半導体メモリなどに用いた場合に高特性の強誘電性を有する膜を半導体基板などに成膜することができる強誘電体材料の具体的な成膜法およびその製法により得られる強誘電体膜を用いた半導体記憶装置およびその製法を提供する。【解決手段】 真空チャンバ1内に、Re(ReはYを含むランタノイド系元素)およびMnのソース源2、3を強誘電体膜が成膜される基板4と対向させて配設し、該基板の成膜面に酸化源供給路6により酸化源を吹き付け、前記真空蒸着装置内の酸素の分圧が10-3Torr以下で前記ソース源の金属を蒸発させ、基本構造がReMnO3 の強誘電体材料を前記基板表面に成膜する。また、半導体記憶装置は、前述の方法により得られる強誘電体膜を用いる。
請求項（抜粋）：
真空蒸着装置内に、Re(ReはYを含むランタノイド系元素)およびMnのソース源を強誘電体膜が成膜される基板と対向させて配設し、前記真空蒸着装置内の酸素の分圧を10-3Torr以下とし、前記基板の成膜面に酸化源を吹き付けながら前記ソース源の金属を蒸発させることにより、基本構造がReMnO3 の強誘電体材料を前記基板表面に成膜することを特徴とする強誘電体材料の製法。
IPC (12件)：
C04B 35/50
, C04B 35/495
, C23C 14/08
, G11C 11/22
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
C04B 35/50
, C23C 14/08 K
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, C04B 35/00 J
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
