特許
J-GLOBAL ID：200903066807339806
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-083421
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280670
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】AlInP又はAlGaInPなどAlを含み且つ組成によって格子定数が変化する半導体を電流ブロック層に用いたレーザにおいて、信頼性の高いレーザを歩留まりよく提供する。【解決手段】第1導電型クラッド層103と、活性層105と、リッジ形状を有する第2導電型クラッド層107と、前記第2導電型クラッド層107より屈折率の小さい第1導電型の半導体からなる電流ブロック層109とを有する半導体レーザであって、前記電流ブロック層109が2種類の半導体からなる半導体レーザとする。
請求項（抜粋）：
第1導電型クラッド層と、活性層と、リッジ形状を有する第2導電型クラッド層と、前記第2導電型クラッド層より屈折率の小さい第1導電型の半導体からなる電流ブロック層とを有する半導体レーザであって、前記電流ブロック層が2種類の半導体からなることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (7件)：
5F073AA13
, 5F073BA06
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA28
