特許
J-GLOBAL ID：200903020231161267
半導体レーザ,及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042755
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237933
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 リッジ部両脇付近で起こる発光吸収を防ぎ、レーザ特性の優れた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 リッジ形状に成形されたクラッド層4と、このリッジ部41の両側に埋め込み形成された電流ブロック層とを備え、電流ブロック層は、Al組成Xが0.7より大きいAlX Ga1-X As層を初期成長してなる第1電流ブロック層6aを有する構成としたものである。
請求項（抜粋）：
リッジ形状に形成されたクラッド層と、このリッジ部の両側に埋め込み形成された電流ブロック層とを備え、上記電流ブロック層は、Al組成Xが0.7より大きいAlX Ga1-X As層を初期成長してなる第1電流ブロック層を有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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