特許
J-GLOBAL ID：200903066811374438
マグネチックラムのMTJセル形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
荒船 博司
, 荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430969
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297039
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】本発明は、磁気抵抗の比率を向上させるために合成-反強磁性層構造を持つMTJセルの形成工程で高い磁場と低い磁場を順次に印加しながら二重アニーリング工程を実施することで磁性体の磁化プローブ不良発生によるMR比率減少を防止するMTJセル形成方法に関するものである。【解決手段】本発明は、SAF構造のマグネチックラムのMTJセル形成工程時に高い磁場の印加による磁化プローブ不良が発生した状態で順次に低い磁場の印加による2重アニーリング工程を実施して磁化プローブ不良を除去し、スピン方向の均一性を向上させたマグネチックラムのMTJセルを形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下部絶縁層を通じて半導体基板に接続する連結層用金属層を形成する段階と、
前記連結層用金属層上部に第1固定磁化層を形成する段階と、
前記第1固定磁化層上部に第2固定磁化層を形成するが、前記第2固定磁化層は第1磁場を印加しながら第1アニーリング工程を遂行し、前記第1磁場より小さいサイズを有する第2磁場を印加しながら第2アニーリング工程を遂行して形成する段階と、
前記第2固定磁化層上部にトンネル障壁層、自由磁化層及び MTJキャッピング層を積層する段階と、
MTJセルマスクを利用した写真エッチング工程により前記MTJキャッピング層、自由磁化層、トンネル障壁層、第2固定磁化層及び第2固定磁化層をパターニングしてMTJセルを形成する段階と、
を含むマグネチックラムのMTJセル形成方法。
IPC (3件)：
H01L27/105
, H01L43/08
, H01L43/12
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083PR33
