特許
J-GLOBAL ID：200903085969592720
結晶製造方法及び結晶製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-044387
公開番号（公開出願番号）：特開平8-239295
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 気相反応を用いた結晶あるいは薄膜の製造方法及び製造装置。【構成】 固体基板8に対向して、ガス吹き出し口7が連結された、平面状誘導電界を構成するコイル面を有する高周波コイルあるいは高周波導電体1を配置し、前記固体基板8に対し、前記高周波コイル1により誘導加熱を行い、更に前記固体基板表面に前記ガス吹き出し口7より原料ガスを供給し、前記固体基板8の融点以下の温度において、前記固体基板表面に成分元素あるいは化合物を連続して析出成長せしめる。
請求項（抜粋）：
固体基板に対向して、ガス吹き出し口が連結された平面状誘導電界を構成するコイル面を有する高周波コイルあるいは高周波導電体を配置し、前記固体基板に対して前記高周波コイルにより誘導加熱を行い、さらに、前記固体基板表面に前記ガス吹き出し口より原料ガスを供給し、前記固体基板の融点以下の温度において、前記固体基板表面に成分元素あるいは化合物を連続して析出成長せしめ、多結晶あるいは単結晶の薄膜を製造することを特徴とする気相成長法を用いた結晶製造方法。
IPC (6件)：
C30B 25/10
, C30B 23/06
, C30B 25/14
, C30B 29/06 504
, C30B 29/06
, C30B 29/40 502
C30B 25/10
, C30B 23/06
, C30B 25/14
, C30B 29/06 504 D
, C30B 29/06 504 C
, C30B 29/40 502 D
