特許
J-GLOBAL ID：200903066925010550

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
池田 裕章

池田 裕章 について

, 
大林 健

大林 健 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007382
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199790
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 キャップ層側面のブロック層の層厚を制御して、半導体レーザ素子の特性を向上させる。【解決手段】 実屈折率ガイド型のリッジガイド構造の半導体レーザ素子において、リッジ部分のキャップ層の幅を、クラッド層の幅より広くする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、少なくとも第1導電型の下部クラッド層、活性層、凸状に層厚の厚い領域を有する第2導電型の上部クラッド層が形成され、該上部クラッド層の凸状に層厚の厚い領域上に、該領域の最上部の幅よりも広い幅を持つ第2導電型のキャップ層が形成され、前記上部クラッド層の凸状に層厚の厚い領域の側面及び該領域以外の部分に少なくとも第1導電型の電流ブロック層と保護層とが形成された半導体レーザ装置であって、前記活性層の屈折率は前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層より大きく、前記電流ブロック層の屈折率は前記上部クラッド層より小さく、前記キャップ層は前記上部クラッド層よりAlの含有量が少なく、前記電流ブロック層はAlを含んだ層であり、前記保護層は前記電流ブロック層よりAlの含有量が少ないことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
審査官引用 (7件)
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