マスクパターンを基板上に繰り返し結像する方法及びこの方法を実施する装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-500594
公開番号（公開出願番号）：特表平9-501803
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】マスクパターン(C)を基板(W)上に繰り返し結像する方法及び装置を開示する。投影ビーム(PB)により基板(W)上のフォトレジスト層に形成されるマークの潜像をこのフォトレジスト層上に回折限界放射スポット(SP)を形成する走査型顕微鏡(LID)によって測定することににより、この装置及びその投影レンズ系(PL)の種々のパラメータを精密に高信頼度に測定し、この装置の種々の測定装置を校正することができる。

請求項（抜粋）：

マスクテーブルに設けられたマスクパターンを基板テーブルに設けられた基板上に投影ビームにより繰り返し結像するために、・少なくとも一つのテストマークを有するマスクをマスクテーブルに設けるステップと、・フォトレジスト層を有する基板を基板テーブルに設けるステップと、・前記マスクの少なくとも一つのテストマークの像を投影ビーム及び投影レンズ系によりフォトレジスト層に投影するステップと、・前記少なくとも一つのテストマークの潜像を非化学放射を使用する潜像検出装置により検出するステップと、・マスクパターン像の品質及び位置に影響を与える少なくとも一つのパラメータを前記潜像検出装置の出力信号により設定するステップと、・製造マスクパターンを製造基板上に連続的に異なる位置に繰り返し結像するステップと、を具えるマスクパターン結像方法において、回折制限走査スポットを潜像検出に使用し、この走査スポットと潜像を相対的に移動させて潜像を点順次走査することを特徴とするマスクパターン結像方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00

FI (3件)：

H01L 21/30 525 R , G03F 9/00 H , H01L 21/30 516 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

写真製版ツールを制御する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-012311 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開昭63-237522
特開平1-187817

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