特許
J-GLOBAL ID：200903066995766015

シリンダー型容量素子の製造方法

発明者：
山西 信之

山西 信之 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196562
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 シリンダー構造を有するDRAMキャパシタ部において、下部電極上にブランケットHSGを形成する際、シリンダー側壁に接する酸化膜を露出させることなく、所望のグレインサイズを持つHSGを得る。【解決手段】 LP-CVD装置を用いてシリンダー型容量素子を製造するに当たり、シリンダー側壁となる下部電極膜11を形成する第一の段階と、下部電極膜の表面に酸化層12を形成する第二の段階と、酸化層の表面にHSG13を形成する第三の段階と、不純物を拡散する第四の段階を同一バッチで行う。
請求項（抜粋）：
LP-CVD装置を用いたシリンダー型容量素子の製造方法であって、シリンダー側壁となる下部電極膜を形成する第一の段階と、前記下部電極膜の表面に酸化層を形成する第二の段階と、前記酸化層の表面にHSGを形成する第三の段階とを具備し、かつ、前記第一〜第三の段階を同一バッチで行うことを特徴とするシリンダー型容量素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 27/10 621 C
Fターム (24件)：
5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AD09 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045CB10 ,  5F045HA16 ,  5F045HA20 ,  5F045HA23 ,  5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083GA09 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (6件)
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